報告時(shí)間：2020年12月4日（周五）15:00
報告地點(diǎn)：世紀樓18層報告廳
報告人：井立強 教授
報告簡(jiǎn)介：
針對納米半導體吸附氧氣能力差、可見(jiàn)光激發(fā)的高水平能級電子利用率低、可見(jiàn)光吸收范圍窄和缺少引發(fā)氧化還原反應的助催化劑等顯著(zhù)影響光催化活性的科學(xué)問(wèn)題，近年來(lái)成功地發(fā)展了系列基于光生電荷調控的改性策略。發(fā)展了無(wú)機酸表面修飾等策略，能夠提高對氧氣的吸附，可有效地促進(jìn)吸附氧對光生電子的捕獲；發(fā)展了寬帶隙納米氧化物如TiO2和SnO2等的復合改性策略，并構建了電子橋和同時(shí)注重維度匹配，這樣適當水平電子能級平臺的引入顯著(zhù)地改善了可見(jiàn)光響應的納米氧化物如Fe2O3和BiVO4等和g-C3N4等可見(jiàn)光激發(fā)的適當能級水平電子的利用率。也構筑了窄帶隙納米氧化物與氮化碳和酞菁金屬等的新型異質(zhì)結構新體系。通過(guò)發(fā)展以上電荷調控策略，顯著(zhù)地提高了納米半導體在降解污染物和CO2轉化等過(guò)程中的光催化活性。同時(shí)，重點(diǎn)利用氣氛可控的和時(shí)間分辨的表面光伏技術(shù)、光電化學(xué)測試、氧氣程序升溫脫附、原位紅外光譜和羥基自由基測試等，深入地揭示了所采用的以上策略顯著(zhù)地改善了材料光生電荷分離狀況的關(guān)鍵機制。這將為進(jìn)一步發(fā)展高活性的光催化納米材料等提供理論上和實(shí)踐上的依據。
環(huán)境與化學(xué)工程學(xué)院
2020年12月1日
